艾科迅 PECVD等离子射频化学气相沉积设备

艾科迅 PECVD等离子射频化学气相沉积设备
二、设备介绍
本设备是由本公司*，具有国家发明**的高端PECVD系统。
特点：与传统CVD系统比较，生长温度更低；使用滑轨炉实现快速升温和降温，沉积速度快；设备特有的**技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长，成膜质量好，不易龟裂。
用途：可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。
艾科迅 PECVD等离子射频化学气相沉积设备
三、主要参数
加 热 炉
额定功率：4 Kw
额定电压：AC220V，50/60 Hz
较高温度：1200℃
使用温度：≤1100℃
升温速率：≤30℃/min
控温精度：±1℃
加 热 区：400（200+200）mm
恒 温 区：200 mm
加热元件：电阻丝
热 电 偶：N型
控温方式：模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有**温和断偶报警功能。
预 热 炉
额定功率：2 Kw
额定电压：AC220V，50/60 Hz
较高温度：500℃
使用温度：400℃
升温速率：≤30℃/min
控温精度：±1℃
加 热 区：200
加热元件：电阻丝
热 电 偶：N型
控温方式：智能化30段可编程控制
射频电源
信号频率：13.56MHz±-0.005%
射频功率输出范围：5W-500W
较大反射功率：200W
射频输出接口：50Ω。N-type,female
功率稳定度：±0.1%
谐波分量：≤-50dbc
供电电压：单相50/60Hz 220v±10%
整机效率：>=70%
功率因素：>=90%
冷却方式：强制风冷
真空系统
额定功率：1 Kw
额定电压：220V±10%  50~60HZ
抽气速率：10m³/H
极限真空：1.0X10-1Pa
油 容 量：1.1L
进气口径：KF25
排气口径：KF25
转    速：1450rpm
供气系统
连接头类型：双卡套不锈钢接头。
标准量程：50sccm、100sccm、200sccm、500sccm、1000sccm等可选。
标准气体：N2、Ar、H2、CH4等可选。
精准度：±1.5%
响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
工作压差范围：0.1～0.5 MPa；较大压力：3MPa
接口：Φ6,1/4''；4位数显；
工作环境温度:5~45高纯气体             
内外双抛不锈钢管：Φ6
压力真空表：－0.1～0.15 MPa；截止阀：Φ6
四、服务支持
1.免费送货（不含卸货）；
2.免费上门安装、调试、培训；
3.免费设备技术支持；
4.质保12个月，易损件除外。